产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(27)
分立半导体
(27)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (2)
Infineon (6)
IXYS (4)
ON Semiconductor (2)
Panasonic (1)
ROHM (2)
STMicroelectronics (2)
Toshiba (5)
Vishay (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2602, 380 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
AUIRFP2602
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1813
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5110
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STY60NK30Z, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 Max247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
STY60NK30Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1572
搜索
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
SPP11N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6379
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA19N60, 18.5A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
FQA19N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4913
搜索
Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 FK6K02010L, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 WSMini6-F1-B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
FK6K02010L
品牌:
Panasonic
库存编号:
728-6857
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF39N20, 39 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
FDPF39N20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3614
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6208
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2353
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2357
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET SUP75P03-07-E3, 75 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
SUP75P03-07-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5171
搜索
ROHM N沟道 Si MOSFET R6015ANX, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
R6015ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7548
查看其他仓库
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ31H3046XKSA1, 14.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
BUZ31H3046XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8504
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN180N15P, 150 A, Vds=150 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
IXFN180N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0757
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N20P, 115 A, Vds=200 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
IXFN140N20P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-616
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN180N15P, 150 A, Vds=150 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
IXFN180N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-259
搜索
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60S5, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
SPW11N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6408
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7424PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
IRF7424PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2092
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STY60NK30Z, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 Max247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
STY60NK30Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5232
查看其他仓库
Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4403BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
SI4403BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3336
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLUS3A18PZTAG, 12.2 A, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
NTLUS3A18PZTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5270
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5129
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP112-TL-H, 25 A, Vds=60 V, 3引脚 ATPAK封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
ATP112-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0752
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SISS23DN-T1-GE3, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
SISS23DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1314
搜索
ROHM Si N沟道 MOSFET R6020ENX, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:半导体,规格:典型关断延迟时间 150 ns,
制造商零件编号:
R6020ENX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7541
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号