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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP11N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4730
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP80P04P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7025
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  FCB11N60TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4923
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  FCB11N60TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0337
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60F, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP11N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4749
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPI80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI80P04P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6805
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2-4, 52 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  STW56N60M2-4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5724
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB80P04P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4559
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2, 52 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 119 ns,
• 制造商零件编号：
  STW56N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5720
  
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