产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SI7615ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9248
搜索
Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SIS890DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9395
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SIS892ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9399
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Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SISA12DN-T1-GE3, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SISA12DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9402
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SISA10DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9409
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS468DN-T1-GE3, 30 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SIS468DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9383
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS476DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SIS476DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9392
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQS460EN-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SQS460EN-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9522
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQS462EN-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:尺寸 3.4 x 3.4 x 1.12mm,
制造商零件编号:
SQS462EN-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9525
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