产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
2N7002P
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8114
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Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002BK, 350 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
2N7002BK
品牌:
Nexperia
库存编号:
781-6691
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SIRA02DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9361
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SIRA00DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9367
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
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Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS84AK, 180 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
BSS84AK
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0908
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3660AS, 56 A,130 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
FDMS3660AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8363
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3012LPS-13, 13.2 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI5060封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
DMP3012LPS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1145
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Fairchild Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS3606AS, 60 A, 148 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
FDMS3606AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9617
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
FDMS7650DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5911
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3660S, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
FDMS3660S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1174
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Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002PS, 320 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
2N7002PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
781-6708
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SIRA06DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9373
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA12DP-T1-GE3, 25 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SIRA12DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9386
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SISA10DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9409
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Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKV, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-666封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
2N7002BKV
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0756
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Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
2N7002P
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0765
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17507Q5A, 65 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
CSD17507Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4855
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA04DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SISA04DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9307
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3686S, 13 A,23 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
FDMS3686S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9183
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Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002PW, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
2N7002PW
品牌:
Nexperia
库存编号:
780-5348
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Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKS, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
2N7002BKS
品牌:
Nexperia
库存编号:
781-6701
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA10DP-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SIRA10DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9377
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA14DP-T1-GE3, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
SIRA14DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9389
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Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS84AKW, 150 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 1.1V,
制造商零件编号:
BSS84AKW
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0910
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