产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP Si P沟道 MOSFET BSP225,115, 225 mA, Vds=250 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSP225,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
177-7183
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET BSS84, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSS84
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0328
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN352AP, 1.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
FDN352AP
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0447
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS352AP, 900 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
NDS352AP
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1084
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 2N6661-E3, 900 mA, Vds=90 V, 3引脚 TO-205AD封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
2N6661-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
708-2841
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Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS192,115, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSS192,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8313
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSS87
品牌:
Nexperia
库存编号:
752-8249
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BS170_D26Z, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BS170_D26Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3596
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3622S, 34 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
FDMS3622S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1168
查看其他仓库
Nexperia N沟道 Si MOSFET BSP126, 375 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSP126
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0875
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSS123NH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0011
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDPC8011S, 20 A,60 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
FDPC8011S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4771
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8651, 64 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
FDMC8651
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4954
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Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000_D26Z, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
2N7000_D26Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4074
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP372N H6327, 1.8 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSP372N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7754
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Nexperia PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSS123
品牌:
Nexperia
库存编号:
671-0321
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDS4672A, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
FDS4672A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0526
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3446ADV-T1-E3, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
SI3446ADV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3291
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4906DY-T1-E3, 5.3 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
SI4906DY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3367
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NXP Si N沟道 MOSFET BSP89,115, 375 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSP89,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8304
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Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS87,115, 400 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSS87,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8316
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NXP Si P沟道 MOSFET BSP220,115, 225 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BSP220,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8379
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002N, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
SN7002N
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3134
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Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BF999E6327, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
BF999E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9430
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDPC8016S, 60 A, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 电源夹 56封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.8V,
制造商零件编号:
FDPC8016S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8571
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