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• NXP N沟道 Si MOSFET BF904,215, 30 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BF904,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  510-005
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BSS816NW H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7113
  
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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF909AWR,115, 40 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT-343R封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BF909AWR,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2440
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDZ661PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  FDZ661PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0723
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BSS806NEH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0109
  
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• Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BF2040WH6814, 40 mA, Vds=8 V, 4引脚 SOT-343封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BF2040WH6814
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8429
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSD816SNH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BSD816SNH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8485
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BSR802N L6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2251
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000TA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  2N7000TA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0224
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 双 N沟道 Si MOSFET BSD840N, 880 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BSD840N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5493
  
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• Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BF2040E6814, 40 mA, Vds=8 V, 4引脚 SOT-143封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BF2040E6814
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9263
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS806NH6327XT, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BSS806NH6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0096
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG6332C_F085, 600 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  FDG6332C_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8155
  
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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1202WR,115, 30 mA, Vds=10 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BF1202WR,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2181
  
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• NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1211WR,115, 30 mA, Vds=6 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BF1211WR,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2248
  
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• Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG6332C, 600 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  FDG6332C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-9847
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH3382-TL-W, 2 A, Vds=12 V, 3引脚 SC-70FL封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  MCH3382-TL-W
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  922-9474
  
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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET 四极管 BF1208,115, 30 mA, Vds=6 V, 6引脚 SOT-666封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BF1208,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2254
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDZ663P, 2.7 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  FDZ663P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0732
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806N, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  BSS806N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8260
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH3481-TL-W, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 MCPH3封装
  
  产品分类：半导体,规格：最小栅阈值电压 0.3V,
• 制造商零件编号：
  MCH3481-TL-W
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  920-9805
  
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