产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
IRF7425PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3943
搜索
Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI1912EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3235
搜索
Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
PMGD280UN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8329
搜索
Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7324PBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
IRF7324PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0280
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI3464DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3167
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI5855CDC-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI5855CDC-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1346
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7324TRPBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
IRF7324TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8881
查看其他仓库
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PH2520U,115, 100 A, Vds=20 V, 5引脚 LFPAK封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
PH2520U,115
品牌:
NXP
库存编号:
508-579
查看其他仓库
NXP Si N沟道 MOSFET 晶体管 PMF280UN,115, 1.02 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
PMF280UN,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8385
查看其他仓库
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMN27UP, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
PMN27UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2763
搜索
Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4501BDY-T1-GE3, 6.4 A,12 A, Vds=8 V,30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI4501BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3227
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Vishay N沟道 MOSFET SI2312BDS-T1-GE3, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI2312BDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3254
查看其他仓库
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2301BDS-T1-E3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI2301BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4660
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR280UN,115, 980 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
PMR280UN,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8427
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTS2101PT1G, 1.5 A, Vds=8 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
NTS2101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4755
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Nexperia P沟道 Si MOSFET PMV160UP, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
PMV160UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6928
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Vishay 双 P沟道 Si MOSFET SI5933CDC-T1-GE3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI5933CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1359
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2315ES-T1_GE3, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SQ2315ES-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3901
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2301ES-T1-GE3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SQ2301ES-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3908
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Vishay N沟道 Si MOSFET 晶体管 SI1410EDH-T1-E3, 2.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI1410EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3210
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3441BDV-T1-GE3, 2.4 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI3441BDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3285
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Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4403BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI4403BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3336
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI9424BDY-T1-E3, 5.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI9424BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3383
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Nexperia Si P沟道 MOSFET PMV32UP, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
PMV32UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2798
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425TRPBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
IRF7425TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8939
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