产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
IXYS FBS10-06SC 单相 整流桥, 3A 600V, 5引脚 ISOPLUS-I4-PAC封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
FBS10-06SC
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0814
搜索
Infineon IRGB4615DPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGB4615DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3410
查看其他仓库
Infineon IRGP6660DPBF N沟道 IGBT, 95 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGP6660DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3466
查看其他仓库
Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 0.6μs, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
GT60PR21,STA1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2756
搜索
Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
GT50MR21,Q(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2759
查看其他仓库
Infineon IRGP4263PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGP4263PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
784-9039
查看其他仓库
Infineon IRGPS4067DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 Super-247封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGPS4067DPBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
784-9048
查看其他仓库
Infineon IRGB14C40LPBF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=430 V, 1kHz, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGB14C40LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0971
搜索
Infineon IRGB4630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGB4630DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3422
查看其他仓库
Infineon IRGP4640PBF N沟道 IGBT, 65 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGP4640PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3435
搜索
Infineon IRGP6640DPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGP6640DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3454
查看其他仓库
Infineon IRGP6650DPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGP6650DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3463
搜索
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGR4607DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3476
查看其他仓库
Infineon IRGS4620DPBF N沟道 IGBT, 32 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGS4620DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3494
搜索
Infineon IRGS4630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGS4630DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3498
搜索
Infineon IKW30N60T N沟道 IGBT, 45 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IKW30N60T
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7185
搜索
IXYS IXYX120N120C3 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IXYX120N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-1000
搜索
Infineon IRGS4045DPBF N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGS4045DPBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
784-9045
搜索
Infineon IRGP4690DPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGP4690DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3438
查看其他仓库
Infineon IRGS4610DPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGS4610DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3482
查看其他仓库
Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRGS4607DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3488
查看其他仓库
Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
GT30J341,Q(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2734
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Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 0.38μs, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
GT50J342,Q(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2740
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Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
GT40QR21,F(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2743
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Infineon IRG7PSH73K10PBF N沟道 IGBT, 220 A, Vce=1200 V, 3引脚 Super-247封装
产品分类:半导体,规格:最高工作温度 175 °C,
制造商零件编号:
IRG7PSH73K10PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8605
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