产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5802TRPBF, 900 mA, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRF5802TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-647
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4229PBF, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFS4229PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-883
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPP60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7478
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPA65R190CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7738
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPA90R340C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9088
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFS31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
539-4990
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7458PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRF7458PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1106
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS52N15DPBF, 51 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFS52N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
639-1863
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFS23N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4845
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4228PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFB4228PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6948
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7799L2TR1PBF, 375 A, Vds=250 V, 11引脚 DirectFET L8封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRF7799L2TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5397
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPD65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5591
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R600C6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPB60R600C6
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9049
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB38N20DPBF, 43 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFB38N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3944
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFB31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3947
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFBA90N20DPBF, 98 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-273AA封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFBA90N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3950
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4227PBF, 26 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFI4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3966
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFI4229PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3975
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DTRLP, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFS31N20DTRLP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4091
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPD50R1K4CEBTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4607
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPI50R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4697
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPI65R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6722
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPI65R420CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6726
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R310CFD, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPI65R310CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6729
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R380C6, 10.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPP60R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
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