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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC050N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5263
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8324TR2PBF, 90 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH8324TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4371
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUP50N03-5M1P-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SUP50N03-5M1P-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7499
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STU80N4F6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STU80N4F6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7955
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8638, 18 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS8638
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3664
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8870, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD8870
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0950
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C646NLT1G, 89 A, Vds=60 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C646NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7933
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3307PBF, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB3307PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5800
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD90N06S4L-06, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD90N06S4L-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4625
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8870_F085, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 6.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD8870_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8133
  
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