产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 0.018 Ω,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 0.018 Ω,
制造商零件编号:
STB55NF06L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-1922
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3651U, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 0.018 Ω,
制造商零件编号:
FDP3651U
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4821
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP6030BL, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 0.018 Ω,
制造商零件编号:
FDP6030BL
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4856
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB7030BL, 60 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 0.018 Ω,
制造商零件编号:
FDB7030BL
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-0356
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6013LFG-7, 45 A, Vds=60 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 0.018 Ω,
制造商零件编号:
DMN6013LFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1117
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