产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7665S2TR1PBF, 14.4 A, Vds=100 V, 4引脚 DirectFET SB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7665S2TR1PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
716-5381
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4060SVT-7, 4.8 A, Vds=45 V, 6引脚 TSOT-26封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
DMN4060SVT-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5137
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
STW56N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5733
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2-4, 49 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
STW56N65M2-4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5736
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2035U-7, 3.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2035U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4225
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2318CX RFG, 3.9 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
TSM2318CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6065
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5471DC-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
SI5471DC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1328
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Infineon 双 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLHS6276TR2PBF, 4.5 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
IRLHS6276TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
737-7304
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH47N60N, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
FCH47N60N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6137
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2035UVT-7, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOT-26封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2035UVT-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5147
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN034-100PS, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN034-100PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2877
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2035U-7, 3.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 62 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2035U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8370
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