产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2907Z, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFP2907Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7467
搜索
Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZPBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF2907ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0278
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH185N10F3-2, 180 A, Vds=100 V
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
STH185N10F3-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5842
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72A08N1,S4X(S, 157 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
TK72A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5194
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3G, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
IPB027N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9235
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4110GPBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220ABFP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI4110GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3962
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF045N10A, 67 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
FDPF045N10A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8574
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833STRLPBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
IRL7833STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5083
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2907, 209 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFP2907
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1822
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDI045N10A_F102, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
FDI045N10A_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5876
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP045N10A_F102, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
FDP045N10A_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5924
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH180N10F3-6, 180 A, Vds=100 V, 8引脚 H2PAK-6封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
STH180N10F3-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0519
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4110GPBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4110GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5807
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907Z, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF2907Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7423
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72A12N1,S4X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
TK72A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6268
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72A08N1,S4X(S, 72 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
TK72A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2439
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB3207, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFB3207
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7455
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STH180N10F3-2, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK-2封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
STH180N10F3-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0500
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH185N10F3-6, 180 A, Vds=100 V
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
STH185N10F3-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5846
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL90N3LLH6, 90 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
STL90N3LLH6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-8741
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72A12N1,S4X(S, 179 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
TK72A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5198
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD42N03-3M9P-GE3, 107 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
SUD42N03-3M9P-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7464
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72A12N1,S4X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
TK72A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2432
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1921TH, 153 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 4.5 mΩ,
制造商零件编号:
MDP1921TH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4965
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