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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCA35N60, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCA35N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9440
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MCH6444-TL-H, 2.5 A, Vds=35 V, 6引脚 MCPH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MCH6444-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0960
  
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• Infineon Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7321D2TRPBF, 4.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7321D2TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8888
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF5805TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3763
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB35N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0679
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH6336-TL-E, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 MCPH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MCH6336-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0828
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA921EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIA921EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1235
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA291P, 6.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA291P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6238
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCH35N60, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH35N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9447
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW35N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0326
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP35N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2900
  
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• ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET ECH8654-TL-H, 5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ECH8654-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0835
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7316TRPBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7316TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8872
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG33N60EF-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SiHG33N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4484
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHP33N60EF-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SiHP33N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4487
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8622, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC8622
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9563
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7314TRPBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7314TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8863
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 98 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF5805TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3922
  
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