产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2905, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRLR2905
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4356
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR2905TRPBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRLR2905TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3357
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFIB41N15DPBF, 41 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFIB41N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5022
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRLL2705PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4788
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFIZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9743
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705PBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRLR2705PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0557
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRFZ34N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1875
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7726TRPBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRF7726TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3871
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFB260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3938
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP260MPBF, 50 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFP260MPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4013
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905TRPBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRLR2905TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4802
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9761
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2703PBF, 24 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRL2703PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2177
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7404PBF, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRF7404PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9383
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NSPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0103
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Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPD25N06S2-40, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IPD25N06S2-40
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8973
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFB260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5780
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4766
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRLL2705PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9907
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP260NPBF, 50 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFP260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9771
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2910STRLPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRL2910STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3290
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP260NPBF, 50 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 40 MΩ,
制造商零件编号:
IRFP260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5019
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