产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 4 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(2)
分立半导体
(2)
筛选品牌
Vishay (2)
重新选择
规格选型
安装类型
长度
尺寸
典型关断延迟时间
典型接通延迟时间
典型输入电容值@Vds
典型栅极电荷@Vgs
封装类型
高度
晶体管材料
晶体管配置
宽度
类别
每片芯片元件数目
通道类型
通道模式
引脚数目
最大功率耗散
最大连续漏极电流
最大漏源电压
最大漏源电阻值
最大栅源电压
最低工作温度
最高工作温度
最小栅阈值电压
通孔(1)
表面贴装(1)
重新选择
10.41mm(1)
5.15mm(1)
重新选择
10.41 x 4.7 x 9.01mm(1)
5.15 x 5.89 x 1.04mm(1)
重新选择
190 ns(1)
35 ns(1)
重新选择
30 ns(1)
20 ns(1)
重新选择
10742 pF @ 25 V(1)
2730 pF@ 15 V(1)
重新选择
200 nC @ 10 V(1)
21.5 nC @ 15 V,42.5 nC @ 10 V(1)
重新选择
PowerPAK SO(1)
TO-220AB(1)
重新选择
1.04mm(1)
9.01mm(1)
重新选择
Si(1)
重新选择
单(1)
重新选择
5.89mm(1)
4.7mm(1)
重新选择
功率 MOSFET(2)
重新选择
1(2)
重新选择
N(2)
重新选择
增强(2)
重新选择
3(1)
8(1)
重新选择
187 W(1)
5 W(1)
重新选择
28 A(1)
75 A(1)
重新选择
30 V(2)
重新选择
4 mΩ(2)
重新选择
±20 V(2)
重新选择
-55 °C(2)
重新选择
+175 °C(1)
+150 °C(1)
重新选择
1.2V(1)
1V(1)
重新选择
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 4 mΩ,
制造商零件编号:
SIR466DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3406
搜索
Vishay N沟道 MOSFET SUP75N03-04-E3, 75 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 4 mΩ,
制造商零件编号:
SUP75N03-04-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
655-6767
查看其他仓库
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号