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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZSPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8759
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZS-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8734PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8734PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6891
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3077PBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP3077PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6970
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS3306PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7077
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404, 202 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1756
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404SPBF, 162 A, Vds=40 V, 4引脚 SMD-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0271
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL3713PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3293
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7843PBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR7843PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3388
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL1404SPBF, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL1404SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5000
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3815
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0822
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7832PBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7832PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  639-1885
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP3306PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6982
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833PBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL7833PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7193
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833SPBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL7833SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7197
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3717PBF, 120 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3717PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7226
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90N06S4-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP90N06S4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7034
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6813
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLB4030PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLB4030PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7216
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS4030-7PPBF, 190 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLS4030-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7266
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S2-H4, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI80N04S2-H4
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6750
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404STRLPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4935
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713STRLPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL3713STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5077
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3717PBF, 20 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3717PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6869
  
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