产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 1.3 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7430PBF, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 1.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB7430PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9172
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-2, 200 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 1.3 mΩ,
制造商零件编号:
STH320N4F6-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7680
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-6, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 H2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 1.3 mΩ,
制造商零件编号:
STH320N4F6-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7683
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IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1T550N055T2, 550 A, Vds=55 V, 24引脚 SMPD封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 1.3 mΩ,
制造商零件编号:
MMIX1T550N055T2
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2500
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB009N03L G, 180 A, Vds=30 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 1.3 mΩ,
制造商零件编号:
IPB009N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5406
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N03S4L-H0, 180 A, Vds=30 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 1.3 mΩ,
制造商零件编号:
IPB180N03S4L-H0
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5160
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP7430PBF, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 1.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP7430PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9185
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