产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS52N15DPBF, 51 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS52N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
639-1863
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IPD320N20N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5474
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW78N65M5, 69 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
STW78N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7970
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7672, 9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
FDMA7672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3472
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7328TRPBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7328TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8885
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9333TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9333TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3928
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7628, 9 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
FDMA7628
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8168
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984_F085, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
FDS8984_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8723
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
BSR802N L6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2251
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW78N65M5, 69 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
STW78N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8938
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Nexperia N沟道 Si MOSFET BUK9535-55A,127, 34 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
BUK9535-55A,127
品牌:
NXP
库存编号:
103-7544
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
SI2333DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4691
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5690, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
FDD5690
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9087
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4868PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8947
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Nexperia P沟道 Si MOSFET PMN27UP, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
PMN27UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2763
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IPD35N10S3L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9128
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN4026SSD-13, 9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
DMN4026SSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0484
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4868PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4733
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC320N20NS3 G, 36 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
BSC320N20NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5311
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5826NLTAG, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
NTTFS5826NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4789
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7328PBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7328PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0284
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS468DN-T1-GE3, 30 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
SIS468DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9383
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5826NLTAG, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
NVTFS5826NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4204
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5826NLTWG, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
NVTFS5826NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4208
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 32 mΩ,
制造商零件编号:
IPP320N20N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5642
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