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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6728MTR1PBF, 140 A, Vds=30 V, 5引脚 DirectFET MX封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 3.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF6728MTR1PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4211
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS3008SDC, 65 A, 140 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 3.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS3008SDC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9177
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2204SPBF, 170 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 3.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2204SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2780
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP036N10A, 214 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 3.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP036N10A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4866
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB036N12N3 G, 180 A, Vds=120 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 3.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPB036N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5428
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N04S3-04, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 3.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD90N04S3-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3030
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVB5860NLT4G, 220 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 3.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVB5860NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4153
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2204PBF, 210 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 3.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2204PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5746
  
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