产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STW18N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6479
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP14N30, 14.4 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
FQP14N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5039
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STB18NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9267
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Vishay N沟道 Si MOSFET SiHP18N50C-E3, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
SiHP18N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2689
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R290PTH, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
MMF60R290PTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5034
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6215PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4927
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STP20NM60FD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8736
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP20NM60FP, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STP20NM60FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2234
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International Rectifier 双 P沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS9351TR2PBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
IRFHS9351TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
737-7300
查看其他仓库
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STW20NM60FD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0629
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STP18NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7817
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STF18NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9318
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR32N80P, 20 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
IXFR32N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0729
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR32N80P, 20 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
IXFR32N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-470
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STW20NM60FD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1996
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 Si N沟道 MOSFET STP18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STP18N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6474
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
SPW17N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8508
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
SPA17N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3153
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STW18NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7961
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI8805EDB-T2-E1, 2.5 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
SI8805EDB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1431
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP20NM60FP, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STP20NM60FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8739
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
STP20NM60FD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2228
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215SPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6215SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0430
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6215PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1742
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 290 mΩ,
制造商零件编号:
SPP17N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3194
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