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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP14NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0014
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF15NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0446
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3640
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3788
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50ZFP, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP14NK50ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5333
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP15NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9660
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3603
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD13NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9285
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7426
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP14NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6695
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW14NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW14NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-3108
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF13NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9314
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STU13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8929
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP13NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7801
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STU13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7930
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STFI13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAKFP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 380 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STFI13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7114
  
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