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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 0.29 Ω,
• 制造商零件编号：
  STB18N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6459
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 0.29 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPB17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8482
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 0.29 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDB14N30TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8949
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRFHS9351TRPBF, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 0.29 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFHS9351TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5182
  
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