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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIRA02DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9361
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8018, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS8018
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3513
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6097
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS3006SDC, 90 A, 179 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS3006SDC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9174
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN2R7-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN2R7-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2930
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 263 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4971
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N04S4-H2, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP100N04S4-H2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6864
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP310N10F7, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP310N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2008
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6729MTR1PBF, 190 A, Vds=30 V, 5引脚 DirectFET MX封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF6729MTR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4214
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP027N08B_F102, 120 A，223 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP027N08B_F102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3548
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF6201TRPBF, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF6201TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2843
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP310N10F7, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 2.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP310N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3798
  
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