产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT7N10LTF, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
FQT7N10LTF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1062
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP12NM50FP, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
STP12NM50FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6686
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD7N10LTM, 5.8 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
FQD7N10LTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1024
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DiodesZetex 四 Si N/P沟道 MOSFET ZXMHC6A07N8TC, 1.4 A,1.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMHC6A07N8TC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5348
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4502PT1G, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
NTR4502PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7897
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 CPH3351-TL-H, 1.8 A, Vds=60 V, 3引脚 CPH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
CPH3351-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5243
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP12NM50, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
STP12NM50
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
419-2197
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Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD290XN,115, 860 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
PMGD290XN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8394
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR32N100Q3, 23 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
IXFR32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1437
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQT7N10TF, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
FQT7N10TF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5932
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF16N50GTH, 16 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
MDF16N50GTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4921
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP12NM50, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
STP12NM50
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6682
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTR1P02LT3G, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
NTR1P02LT3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
808-0060
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402GTRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 350 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML2402GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3316
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