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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA65R190CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7738
  
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• Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPW20N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6414
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3207
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8772
  
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• Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R190C7, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW65R190C7
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7630
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA60R190P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9092
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP20N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6391
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190C6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW60R190C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3074
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190C6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA65R190C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8618
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190C6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP60R190C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7576
  
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• Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R190C7, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP65R190C7
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7591
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R190E6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW65R190E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7649
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R190CE, 18.5A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW50R190CEFKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0236
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP60R190P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9060
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW60R190P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9099
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60C3, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPW20N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3449
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET SPB21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPB21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3162
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R190E6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP65R190E6XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6930
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP65R190C6XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6937
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190E6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA65R190E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8615
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI21N50C3XKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8781
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPW21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7179
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60C3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP20N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3376
  
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