产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IRFS7534TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8873
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STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si N沟道 MOSFET STH175N4F6-2AG, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
STH175N4F6-2AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5660
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IRL40B212
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7342
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2903Z, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRF2903Z
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1778
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7440PBF, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IRFR7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9147
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Infineon StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU7440PBF, 90 A, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IRFU7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8988
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI120N06S4-H1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IPI120N06S4-H1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4663
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IPI80N03S4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6748
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB024N08BL7, 229 A, Vds=80 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
FDB024N08BL7
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7941
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2903ZPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IRF2903ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5759
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-30YL, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
PSMN1R7-30YL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2912
搜索
International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7534TRLPBF, 195 A,232 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IRFS7534TRLPBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
807-1577
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB024N06, 120 A,265 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
FDB024N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0795
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
FDB024N04AL7
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9462
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International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFB7534PBF, 195 A,232 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IRFB7534PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
807-1530
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-H1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 2.4 MΩ,
制造商零件编号:
IPP120N06S4-H1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6886
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