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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2244
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518TRPBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4048
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4685
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6899
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7313PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7313PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0250
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7311PBF, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7311PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  610-6687
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR540ZPBF, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR540ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3270
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFTS8342TRPBF, 8.2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFTS8342TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4127
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3887
  
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