产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(11)
分立半导体
(11)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (2)
Infineon (4)
IXYS (1)
ON Semiconductor (2)
Vishay (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
FQU11P06TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5335
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
Si1308EDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9121
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD11P06TM, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
FQD11P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0949
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH42N60P3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH42N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4376
查看其他仓库
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTF2955T1G, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
NTF2955T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5069
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315PBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IRFL4315PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4007
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315TRPBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IRFL4315TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5822
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR120NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0222
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU120NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IRLU120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1718
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTF2955T1G, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
NTF2955T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9130
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
SiHG22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9412
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号