产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0547
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Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
SI1912EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3235
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9020TRPBF, 9.9 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR9020TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0641
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRLIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRLIZ14GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0702
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4491
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF644SPBF, 14 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRF644SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9311
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Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
SIHP15N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9437
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRLR014TRPBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0718
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP244PBF, 15 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP244PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2758
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Vishay P沟道 MOSFET IRFR9024PBF, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9610
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI644GPBF, 7.9 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI644GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9670
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFU9024PBF, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFU9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4853
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
SIHB15N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9304
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF18N50D-E3, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
SiHF18N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9204
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z20PBF, 6.1 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9Z20PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2682
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF644PBF, 14 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRF644PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9305
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z24SPBF, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9Z24SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4283
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9Z24GPBF, 6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI9Z24GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2727
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9020PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 280 mΩ,
制造商零件编号:
IRFD9020PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4706
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