产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFBC40LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0159
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC40GPBF, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFIBC40GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1332
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFU9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1663
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC40PBF, 6.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFPC40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9822
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110TRPBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFR9110TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0644
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFR9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0395
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE50PBF, 7.8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFPE50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1089
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510SPBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRF9510SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4126
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2325DS-T1-E3, 530 mA, Vds=150 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
SI2325DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3263
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC40STRL-GE3, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
SIHFBC40STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2705
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110TRPBF, 690 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFL9110TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2730
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC40PBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFBC40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9513
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510PBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRF9510PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0018
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2325DS-T1-E3, 530 mA, Vds=150 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
SI2325DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0275
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110PBF, 1.1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFL9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0367
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFBC40APBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 1.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFBC40APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9529
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