产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW28N60DM2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
STW28N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6480
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF16N15, 11.6 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF16N15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5222
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL530PBF, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
IRL530PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4866
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK32N50Q, 32 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK32N50Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5386
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDME1024NZT, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
FDME1024NZT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9576
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB19NF20, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
STB19NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9834
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ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET MCH6662-TL-H, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
MCH6662-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0976
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW24N60C3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
SPW24N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7236
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R160C6, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R160C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7337
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF530PBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
IRF530PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9859
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Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDS331N, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
NDS331N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1078
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2160UW-7, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2160UW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4240
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7306TRPBF, 3.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7306TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8853
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL014NTRPBF, 2.7 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
IRFL014NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3984
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STN3P6F6, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
STN3P6F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2949
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW60R160C6, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
IPW60R160C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7172
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STD10P6F6, 10 A, Vds=60 V, 2针+焊片 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
STD10P6F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
917-2747
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2160UW-7, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2160UW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8373
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
STW25NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1990
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP28N60DM2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
STP28N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6475
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS351AN, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
NDS351AN
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1080
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP22N30, 21 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
FQP22N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5058
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN361BN, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
FDN361BN
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9150
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
STP25NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0089
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 160 mΩ,
制造商零件编号:
STW25NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0301
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