产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
ZXM62P02E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
155-248
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N80P, 25 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IXFR44N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-344
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NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8120
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Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9140
品牌:
Magnatec
库存编号:
189-0955
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFP9140PBF, 21 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP9140PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9727
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IRFL4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9884
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IRFZ14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1685
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRLD014PBF, 1.7 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IRLD014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0478
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD06N10-225L-GE3, 6.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
SUD06N10-225L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5008
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 MCH3377-TL-E, 3 A, Vds=20 V, 3引脚 MCPH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
MCH3377-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-0819
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTLJD3115PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
NTLJD3115PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0646
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS3113PT1G, 7.7 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
NTLJS3113PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0661
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH30N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1386
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IRFIZ14GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2724
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG2305UX-13, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
DMG2305UX-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0522
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6157
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2923
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Infineon FETKY 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7526D1TRPBF, 2 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7526D1TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-546
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9540, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9540PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5152
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK17N65W,S1F(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
TK17N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5053
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-268封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
IXFT30N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1465
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTLUF4189NZTAG, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
NTLUF4189NZTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1052
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG315N, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
FDG315N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3380
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF15P12, 10.6 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF15P12
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5894
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6318P, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 200 mΩ,
制造商零件编号:
FDC6318P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0837
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