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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8707PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-871
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ48VSPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48VSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2250
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5672, 10.6 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS5672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0390
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690AS, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6690AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0627
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75339P3, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  HUF75339P3
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5363
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4115PBF, 195 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4115PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7092
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9328PBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9328PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9240
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP120N10, 74 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP120N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9673
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL3705ZL, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRL3705ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4331
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4927NT1G, 38 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4927NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4717
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4090DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9131
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6410ANG, 76 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTB6410ANG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1005
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NVMFD5852NLT1G, 44 A, Vds=40 V, 8引脚 DFN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVMFD5852NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4166
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3705ZTRPBF, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3705ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3376
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3103SPBF, 64 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL3103SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0383
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44VZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4413
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7692, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC7692
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6308
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03LS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC080N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8160
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC100N03MS G, 44 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC100N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5294
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR3705Z, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3705Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4353
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO301SPH, 14.9 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSO301SPH
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9109
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL3705ZSTRLPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL3705ZSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5073
  
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• Vishay ThunderFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4090DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5902
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1010NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI1010NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9579
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STB70NF3LLT4, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 12 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB70NF3LLT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9862
  
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