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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807PBF, 82 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2807PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2569
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714TRPBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8714TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3900
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF8910PBF, 10 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4722
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO130P03SH, 11.7 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSO130P03SH
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5151
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7470PBF, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7470PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3881
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807SPBF, 82 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2807SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9197
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7470PBF, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7470PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2373
  
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• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF6644TR1PBF, 10.3 A, Vds=100 V, 7引脚 DirectFET MN封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF6644TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6718
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7410TRPBF, 16 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7410TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8910
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807PBF, 82 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2807PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3897
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7410TRPBF, 16 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7410TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4770
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH7914TR2PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH7914TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7287
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2807, 82 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2807
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1774
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413ZTRPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7413ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8923
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425TRPBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 13 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7425TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8939
  
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