产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRFZ48NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9957
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR3110ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4514
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
FDS6898A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0646
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4610PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7109
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44ZPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRLZ44ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7308
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTB6411ANT4G, 77 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
NTB6411ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2856
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMS5835NLR2G, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
NTMS5835NLR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
747-0920
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86322, 83 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86322
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9642
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMS3014SFG-7, 9.5 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
DMS3014SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5184
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB60NF06LT4, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
STB60NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-6944
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRLU3110ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3976
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STP60NF06L, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
STP60NF06L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7816
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
SI4410DYPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2414
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905ZPBF, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR2905ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4491
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7807ZPBF, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR7807ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4564
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4610PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6958
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7716ADN-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
SI7716ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3389
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6411ANG, 77 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
NTP6411ANG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2963
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN8R7-80BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3038
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTB60N06T4G, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
NTB60N06T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0992
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI4666DY-T1-GE3, 16.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
SI4666DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3249
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7811AVPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3883
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4710PBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4710PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4010
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP45N06S4L-08, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
IPP45N06S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6895
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L_F085, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 14 mΩ,
制造商零件编号:
FDD8447L_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8127
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