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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N06LTM, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQD13N06LTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0955
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7309DN-T1-E3, 3.9 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7309DN-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3386
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET CPH6341-M-TL-E, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 CPH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CPH6341-M-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0812
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN338P, 1.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDN338P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0438
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQU13N06LTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5339
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH6341-TL-E, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 MCPH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MCH6341-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0821
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET EMH2408-TL-H, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  EMH2408-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0891
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3910PBF, 16 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0137
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6312P, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC6312P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0340
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK52N60Q2, 52 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK52N60Q2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5402
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTHD4508NT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTHD4508NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0591
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET EMH2604-TL-H, 3 A，4 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  EMH2604-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  801-0171
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3910PBF, 16 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU3910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1641
  
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• ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET ECH8675-TL-H, 4.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ECH8675-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0872
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3910TRPBF, 16 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 115 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3910TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4063
  
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