以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN308P, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDN308P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0419
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB22P10TM, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQB22P10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0879
  
• 
  搜索

• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP6A16DN8TA, 3.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMP6A16DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2475
  
• 
  搜索

• DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006DGTA, 2.8 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMS6006DGTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  738-5210
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD20NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0415
  
• 
  搜索

• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SiHP30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9348
  
• 
  搜索

• Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW30N60S1HF, 30 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FMW30N60S1HF
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9008
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI8439DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9260
  
• 
  搜索

• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SiHG30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9421
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC654P, 3.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC654P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0862
  
• 
  搜索

• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQD19P06-60L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3936
  
• 
  搜索

• ROHM Si P沟道 MOSFET RRQ030P03TR, 3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSMT封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  RRQ030P03TR
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7740
  
• 
  搜索

• ROHM Si P沟道 MOSFET RRR030P03TL, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 TSMT封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  RRR030P03TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7743
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW60R125CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7333
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A17E6TA, 3 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMP6A17E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7894
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN358P, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDN358P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0450
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP20NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0061
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD25NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9298
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF22P10, 9.3 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQPF22P10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5891
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW33N60M2, 26 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW33N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1504
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF33N60M2, 26 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF33N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7104
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW60R125C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7204
  
• 
  搜索

• DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006DGTA, 2.8 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMS6006DGTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8216
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR18N15DPBF, 18 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR18N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0923
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A25GTA, 4 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 125 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN10A25GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2551
  
• 
  搜索