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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3672, 5.9 A, Vds=105 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP3672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4834
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG4466SSS-13, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMG4466SSS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4105
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ160N10NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5373
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6612A, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD6612A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9096
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si2338DS-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  Si2338DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3126
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC160N10NS3G, 42 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC160N10NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9250
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA86551L, 7.5 A, Vds=60 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA86551L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8174
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA180N10N3 G, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA180N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2286
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4332PBF, 60 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4332PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-562
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP603S2L, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP603S2L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-2935
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB40NF10LT4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB40NF10LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5162
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI5419DU-T1-GE3, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI5419DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1312
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR202NL6327, 3.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSR202NL6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9386
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP40NF10L, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP40NF10L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2290
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4332PBF, 57 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4332PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7008
  
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• Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH14006NH, 34 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TPH14006NH
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5137
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3477DV-T1-GE3, 8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3477DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3160
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP40NF10L, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP40NF10L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6651
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN102N30P, 86 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN102N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-464
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM60N06-15_GE3, 56 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQM60N06-15_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9513
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 ATP201-TL-H, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ATP201-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9496
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD180N10N3 G, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD180N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9402
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDD14AN06LA0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD14AN06LA0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8048
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP180N10N3 G, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 33 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP180N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2318
  
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