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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  STW9NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-8623
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPP04N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3197
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP9NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0213
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMG9N65CTI, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 ITO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMG9N65CTI
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  790-4574
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  STW9NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8862
  
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• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N100L, 12 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  IXTH12N100L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7840
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG1013T-7, 460 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMG1013T-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4076
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPA04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPA04N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2150
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3878(F), 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  2SK3878(F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-354
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP9NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1989
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPD04N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3172
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  STF9NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0499
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR825PBF, 6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFR825PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8966
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7117DN-T1-GE3, 1.7 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  SI7117DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1387
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK9J90E, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电阻值 1.3 Ω,
• 制造商零件编号：
  TK9J90E
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5153
  
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