产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
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Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF1324S-7P, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRF1324S-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9224
搜索
Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8408-7P, 240 A, 397 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRFS8408-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1010
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLS3034-7PPBF, 380 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
制造商零件编号:
IRLS3034-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7257
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6797MTR1PBF, 36 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
制造商零件编号:
IRF6797MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6790
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324S-7PPBF, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
制造商零件编号:
IRF1324S-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6816
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6717MTR1PBF, 38 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
制造商零件编号:
IRF6717MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6756
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRFH5300TR2PBF, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
制造商零件编号:
IRFH5300TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9287
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7434TRL7PP, 362 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 1 MΩ,
制造商零件编号:
IRFS7434TRL7PP
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5055
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