产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7342PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1764
搜索
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7342D2PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7342D2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
543-1954
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
STP34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0106
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
STF34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2815
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC642P_F085, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
FDC642P_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8017
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRFSL4020PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5835
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLIB9343PBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRLIB9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4485
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLR9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4520
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLU9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRLU9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4643
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA50N50, 48 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
FDA50N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4770
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL38N65M5, 22 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
STL38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3125
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3410PBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR3410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3809
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7342PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4930
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IXFR64N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-489
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3410PBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR3410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0585
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC5614P, 3 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
FDC5614P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0346
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86252, 4.5 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
FDS86252
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9695
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
STW34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0323
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLR9343PBF, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3963
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL38N65M5, 22 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 105 mΩ,
制造商零件编号:
STL38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8818
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