产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
SPA04N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3147
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STU7N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3823
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL8N80K5, 4.5 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STL8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7706
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STD7N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9295
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NVE4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
NVE4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3280
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPU50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
IPU50R950CE
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7614
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R950C6, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
IPD60R950C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3015
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STF7N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3669
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPS65R950C6AKMA1, 4.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
IPS65R950C6AKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7050
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP04N50C3XKSA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
SPP04N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8788
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD5N60TM_WS, 4.6 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
FCD5N60TM_WS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1243
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD5N60TM, 4.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
FCD5N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4122
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP9NK60Z, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STP9NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2385
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N50C3ATMA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
SPD04N50C3ATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3178
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU8N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STU8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7958
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD8N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STD8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9302
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N60ZH, 8.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
NDF08N60ZH
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-7203
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP04N50C3, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
SPP04N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8784
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R950C6, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
IPA60R950C6
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2327
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB9NK60ZT4, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STB9NK60ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5172
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N60ZG, 7.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
NDF08N60ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2822
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK60ZFP, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STP9NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0207
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STP7N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3814
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP8N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STP8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7835
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF8N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 950 mΩ,
制造商零件编号:
STF8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9333
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