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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104LPBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1104LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1077
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFR3504ZPBF, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3504ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4362
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6923
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR3607, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3607
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1841
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N06S4-09, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9175
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3607TRLPBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS3607TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4108
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06N, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP060N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2276
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4946
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8714PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-681
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1994
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7809AVPBF, 13.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7809AVPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1112
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7821PBF, 13.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7821PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4069
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4410ZPBF, 97 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4410ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7106
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7134
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLU8259PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7291
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5010TR2PBF, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH5010TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7778
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8721PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLB8721PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9322
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD060N03L G, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD060N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5456
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZSPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3985
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8721PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8721PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-685
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZSPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8822
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4410ZPBF, 97 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4410ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7011
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3607PBF, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS3607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7074
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLR8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR8259PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7232
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3607, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3607
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9186
  
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