产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
半导体
(17)
分立半导体
(17)
筛选品牌
Infineon (6)
ON Semiconductor (2)
STMicroelectronics (6)
Vishay (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2307BDS-T1-E3, 2.5 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
SI2307BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4679
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
STB45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2949
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
STW45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2986
搜索
ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET ECH8652-TL-H, 6 A, Vds=12 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
ECH8652-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0838
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET EMH1307-TL-H, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
EMH1307-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0888
搜索
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10N G, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
IPD78CN10N G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7242
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
STF45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2001
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4620PBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR4620PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7046
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4620PBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4620PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7112
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4620PBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
IRFU4620PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7153
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM27N20-78-E3, 27 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
SUM27N20-78-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5023
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7820PBF, 3.7 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7820PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8916
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ3419EV-T1_GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
SQ3419EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9452
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
STP45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8834
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4620, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFR4620
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1857
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
STF45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2968
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP45N65M5, 35 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电阻值 78 mΩ,
制造商零件编号:
STP45N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3107
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号