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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 520 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD50R520CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5334
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 520 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA60R520C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8609
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R500CE, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 520 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP50R500CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2270
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 520 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD60R520C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7545
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R520CP, 7.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 520 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP50R520CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6912
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R520E6, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 520 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP60R520E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6928
  
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