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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STF18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  STF18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0449
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPB50R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5158
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50R520CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5334
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50R1K4CEBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4607
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPI50R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4697
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU50R2K0CEBKMA1, 2.4 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPU50R2K0CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7066
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R380CE, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPP50R380CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2267
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R500CE, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPP50R500CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2270
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPU50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPU50R950CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7614
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  STD18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8705
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPW50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7430
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R280CE, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50R280CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9140
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPB50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9196
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPB50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8217
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R199CP, 17 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPI50R199CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4694
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPA50R380CE, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPA50R380CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7510
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R380CE, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50R380CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7535
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  STP18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9663
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  STB18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0398
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  STD18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0418
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPU50R1K4CEBKMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPU50R1K4CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7069
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPW50R299CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7101
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF16N50GTH, 16 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  MDF16N50GTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4921
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R190CE, 18.5A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPW50R190CEFKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0236
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPA50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：最大漏源电压 550 V,
• 制造商零件编号：
  IPA50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2989
  
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