产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 50 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD020, 2.4 A, Vds=50 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 50 V,
制造商零件编号:
IRFD020
品牌:
Vishay
库存编号:
435-9429
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N05-11L_GE3, 50 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 50 V,
制造商零件编号:
SQD50N05-11L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9493
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9010TRPBF, 5.3 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 50 V,
制造商零件编号:
IRFR9010TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0638
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9020TRPBF, 9.9 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 50 V,
制造商零件编号:
IRFR9020TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0641
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z20PBF, 6.1 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 50 V,
制造商零件编号:
IRF9Z20PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2682
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