产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP BF545A,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 2.0 → 6.5mA, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
BF545A,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2327
搜索
NXP BF556A,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 3 → 7mA, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
BF556A,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2355
搜索
NXP PMBFJ175,215 P通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 7 → 70mA, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
PMBFJ175,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-3285
搜索
NXP PMBFJ176,215 P通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 2 → 35mA, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
PMBFJ176,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-3291
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ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 1.2 → 3mA, 3引脚 CP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
2SK3666-3-TB-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5161
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ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 0.6 → 1.5mA, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
2SK3666-2-TB-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9364
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ON Semiconductor TF412ST5G N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 1.2 → 3mA, 3引脚 SOT-883封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
TF412ST5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3287
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NXP PMBFJ174,215 P通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 20 → 135mA, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
PMBFJ174,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-3263
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N03FTA, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
ZXM61N03FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
154-964
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
STS4DPF30L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-861
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NXP Si N沟道 MOSFET BSP100, 3.2 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
BSP100
品牌:
NXP
库存编号:
261-606
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
IRF7503TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-290
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
IRF7506TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-307
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
IRF7201PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-565
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A,2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
IRF7509TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-192
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
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Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
TPC6108(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-336
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
IRF8707PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-871
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PH8230E,115, 67 A, Vds=30 V, 5引脚 LFPAK封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
PH8230E,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-150
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R0-30YL, 91 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
PSMN5R0-30YL
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8126
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NXP Si P沟道 MOSFET BSP250, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
BSP250
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8317
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-03, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
IPD90N03S4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7479
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NXP 双 Si N/P沟道 MOSFET PHC21025, 2.3 A,3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
PHC21025
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-5380
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS5PF30L, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
STS5PF30L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8370
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,规格:最大漏源电压 30 V,
制造商零件编号:
IRLL3303PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9890
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