产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SI4116DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3317
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR850DP-T1-GE3, 20 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SIR850DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1294
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SI4116DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0272
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SI4666DY-T1-GE3, 16.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SI4666DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3249
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR412DP-T1-GE3, 13.4 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SIR412DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1263
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIS430DN-T1-GE3, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SIS430DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1308
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR436DP-T1-GE3, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SIR436DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1288
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR862DP-T1-GE3, 32 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SIR862DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1297
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI8406DB-T2-E1, 9.5 A, Vds=25 V, 6引脚 微型支脚封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SI8406DB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9263
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4654DY-T1-GE3, 28 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 25 V,
制造商零件编号:
SI4654DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3246
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